FDN537N
Modelo do Produto:
FDN537N
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
60390 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDN537N.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SuperSOT-3
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:23 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.5W (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:FDN537NCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:465pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:8.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 6.5A (Ta), 6.5A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Email:[email protected]

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