FDMS86200DC
Modelo do Produto:
FDMS86200DC
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
57531 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDMS86200DC.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Dual Cool™56
Série:Dual Cool™, PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:17 mOhm @ 9.3A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.2W (Ta), 125W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:FDMS86200DCCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:19 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2955pF @ 75V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):150V
Descrição detalhada:N-Channel 150V 9.3A (Ta), 28A (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount Dual Cool™56
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.3A (Ta), 28A (Tc)
Email:[email protected]

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