FDMS3672
FDMS3672
Modelo do Produto:
FDMS3672
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 7.4A POWER56-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
92061 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDMS3672.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-MLP (5x6), Power56
Série:UltraFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:23 mOhm @ 7.4A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta), 78W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:8-PowerWDFN
Outros nomes:FDMS3672CT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:13 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2680pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:44nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 7.4A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:7.4A (Ta), 22A (Tc)
Email:[email protected]

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