FDMQ8403
FDMQ8403
Modelo do Produto:
FDMQ8403
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
86336 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDMQ8403.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:12-MLP (5x4.5)
Série:GreenBridge™ PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:110 mOhm @ 3A, 10V
Power - Max:1.9W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:12-WDFN Exposed Pad
Outros nomes:FDMQ8403TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:39 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:215pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:5nC @ 10V
Tipo FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Característica FET:Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 3.1A 1.9W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.1A
Email:[email protected]

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