FDMC86259P
FDMC86259P
Modelo do Produto:
FDMC86259P
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 150V 13A POWER33
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
56468 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDMC86259P.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Power33
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:107 mOhm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.3W (Ta), 62W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerWDFN
Outros nomes:FDMC86259PTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:39 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2045pF @ 75V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):150V
Descrição detalhada:P-Channel 150V 3.2A (Ta), 13A (Tc) 2.3W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount Power33
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.2A (Ta), 13A (Tc)
Email:[email protected]

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