FDG6301N-F085P
Modelo do Produto:
FDG6301N-F085P
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
63232 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDG6301N-F085P.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-70-6
Série:Automotive, AEC-Q101
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4 Ohm @ 220mA, 4.5V
Power - Max:300mW
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9.5pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:0.4nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 220mA (Ta) 300mW Surface Mount SC-70-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:220mA (Ta)
Email:[email protected]

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