FDD2570
Modelo do Produto:
FDD2570
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 150V 4.7A D-PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
44113 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDD2570.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:80 mOhm @ 4.7A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.2W (Ta), 70W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1907pF @ 75V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:62nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):150V
Descrição detalhada:N-Channel 150V 4.7A (Ta) 3.2W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount TO-252
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.7A (Ta)
Email:[email protected]

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