FDC30N20DZ
FDC30N20DZ
Modelo do Produto:
FDC30N20DZ
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT23-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
71436 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDC30N20DZ.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-6
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:31 mOhm @ 4.6A, 10V
Dissipação de energia (Max):960mW (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes:FDC30N20DZOSCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:17 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:535pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:7.9nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 4.6A (Ta) 960mW (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.6A (Ta)
Email:[email protected]

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