FDB8443
FDB8443
Modelo do Produto:
FDB8443
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
39422 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDB8443.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-263AB
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max):188W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:FDB8443DKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:33 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9310pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:185nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição detalhada:N-Channel 40V 25A (Ta), 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:25A (Ta), 120A (Tc)
Email:[email protected]

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