FCP220N80
Modelo do Produto:
FCP220N80
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 23A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
50141 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FCP220N80.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 2.3mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220
Série:SuperFET® II
RDS ON (Max) @ Id, VGS:220 mOhm @ 11.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):278W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4560pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:105nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):800V
Descrição detalhada:N-Channel 800V 23A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

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