EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR
Modelo do Produto:
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR
Fabricante:
Micron Technology
Descrição:
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
61086 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página:-
Tensão - Fornecimento:1.14 V ~ 1.95 V
Tecnologia:SDRAM - Mobile LPDDR2
Embalagem do dispositivo fornecedor:134-VFBGA (10x11.5)
Série:-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:134-VFBGA
Outros nomes:EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR-ND
EDB1332BDBH-1DIT-F-RTR
Temperatura de operação:-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memória:Volatile
Tamanho da memória:1Gb (32M x 32)
Interface de memória:Parallel
Formato de memória:DRAM
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (32M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)
Freqüência de relógio:533MHz
Email:[email protected]

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