DTC143XUBHZGTL
DTC143XUBHZGTL
Modelo do Produto:
DTC143XUBHZGTL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
26711 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.DTC143XUBHZGTL.pdf2.DTC143XUBHZGTL.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased + Diode
Embalagem do dispositivo fornecedor:UMT3F
Série:Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base do Emissor (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Power - Max:200mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-85
Outros nomes:DTC143XUBHZGTLTR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:7 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:250MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):-
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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