DTB123ECHZGT116
DTB123ECHZGT116
Modelo do Produto:
DTB123ECHZGT116
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
-500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
55884 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.DTB123ECHZGT116.pdf2.DTB123ECHZGT116.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased + Diode
Embalagem do dispositivo fornecedor:SST3
Série:Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base do Emissor (R2):2.2 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Power - Max:200mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:DTB123ECHZGT116TR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:7 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:200MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:39 @ 50mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):-
Atual - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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