| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | 120ns |
| Tensão - Fornecimento: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Tecnologia: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 32-EDIP |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo de memória: | Non-Volatile |
| Tamanho da memória: | 1Mb (128K x 8) |
| Interface de memória: | Parallel |
| Formato de memória: | NVSRAM |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 15 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 120ns 32-EDIP |
| Número da peça base: | DS1245AB |
| Tempo de acesso: | 120ns |
| Email: | [email protected] |
