| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | 200ns |
| Tensão - Fornecimento: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Tecnologia: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 24-EDIP |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Temperatura de operação: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo de memória: | Non-Volatile |
| Tamanho da memória: | 16Kb (2K x 8) |
| Interface de memória: | Parallel |
| Formato de memória: | NVSRAM |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 200ns 24-EDIP |
| Número da peça base: | DS1220Y |
| Tempo de acesso: | 200ns |
| Email: | [email protected] |
