DMT8012LSS-13
DMT8012LSS-13
Modelo do Produto:
DMT8012LSS-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
55528 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
DMT8012LSS-13.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:Automotive, AEC-Q101
RDS ON (Max) @ Id, VGS:16.5 mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.5W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:DMT8012LSS-13DITR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1949pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):80V
Descrição detalhada:N-Channel 80V 9.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.7A (Ta)
Email:[email protected]

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