DMT8012LPS-13
DMT8012LPS-13
Modelo do Produto:
DMT8012LPS-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade:
73169 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
DMT8012LPS-13.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerDI5060-8
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:17 mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.1W (Ta), 113W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:DMT8012LPS-13DI
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1949pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):80V
Descrição detalhada:N-Channel 80V 9A (Ta), 65A (Tc) 2.1W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Ta), 65A (Tc)
Email:[email protected]

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