DMN3009SFGQ-13
DMN3009SFGQ-13
Modelo do Produto:
DMN3009SFGQ-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade:
67029 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
DMN3009SFGQ-13.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerDI3333-8
Série:Automotive, AEC-Q101
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):900mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 16A (Ta), 45A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:16A (Ta), 45A (Tc)
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