DMN2990UFZ-7B
DMN2990UFZ-7B
Modelo do Produto:
DMN2990UFZ-7B
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
76717 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
DMN2990UFZ-7B.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:X2-DFN0606-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max):320mW (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:3-XFDFN
Outros nomes:DMN2990UFZ-7BDICT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:55.2pF @ 16V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:0.5nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.2V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:N-Channel 20V 250mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0606-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:250mA (Ta)
Número da peça base:DMN2990
Email:[email protected]

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