DF11MR12W1M1B11BOMA1
Modelo do Produto:
DF11MR12W1M1B11BOMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET MODULE 1200V 50A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
30230 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
DF11MR12W1M1B11BOMA1.pdf

Introdução

DF11MR12W1M1B11BOMA1 melhor preço e entrega rápida.
BOSER Technology é o distribuidor para DF11MR12W1M1B11BOMA1, temos as ações para o transporte imediato e também está disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor, envie-nos o seu plano de compra para DF11MR12W1M1B11BOMA1 por e-mail, nós lhe daremos um melhor preço de acordo com o seu plano.
Nosso email: [email protected]

Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 20mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:Module
Série:CoolSiC™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:23 mOhm @ 50A, 15V
Power - Max:20mW
Caixa / Gabinete:Module
Outros nomes:SP001602238
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3950pF @ 800V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:125nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Silicon Carbide (SiC)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 50A 20mW Chassis Mount Module
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:50A
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações