| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | - |
| Tensão - Fornecimento: | 2 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-DFN (5x6) |
| Série: | F-RAM™ |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-WDFN Exposed Pad |
| Outros nomes: | 428-4412-2 CY15B104Q-LHXIT-ND CY15B104Q-LHXITTR CY15B104Q-LHXITTR-ND |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memória: | Non-Volatile |
| Tamanho da memória: | 4Mb (512K x 8) |
| Interface de memória: | SPI |
| Formato de memória: | FRAM |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) SPI 40MHz 8-DFN (5x6) |
| Freqüência de relógio: | 40MHz |
| Email: | [email protected] |
