| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | 20ns |
| Tensão - Fornecimento: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 48-FBGA (6x10) |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | 48-TFBGA |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memória: | Non-Volatile |
| Tamanho da memória: | 4Mb (512K x 8) |
| Interface de memória: | Parallel |
| Formato de memória: | NVSRAM |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 20ns 48-FBGA (6x10) |
| Número da peça base: | CY14B104 |
| Tempo de acesso: | 20ns |
| Email: | [email protected] |
