CUHS10F60,H3F
Modelo do Produto:
CUHS10F60,H3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
66064 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
CUHS10F60,H3F.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):60V
Embalagem do dispositivo fornecedor:US2H
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:2-SMD, Flat Lead
Outros nomes:CUHS10F60H3FCT
Temperatura de Operação - Junção:150°C (Max)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Schottky
Descrição detalhada:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount US2H
Atual - dispersão reversa @ Vr:40µA @ 60V
Atual - rectificada média (Io):1A
Capacitância @ Vr, F:130pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

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