CMPDM303NH TR
CMPDM303NH TR
Modelo do Produto:
CMPDM303NH TR
Fabricante:
Central Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
71705 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
CMPDM303NH TR.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1.2V @ 250µA
Vgs (Max):12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23F
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:40 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):350mW (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SOT-23-3 Flat Leads
Outros nomes:CMPDM303NH CT
CMPDM303NH CT-ND
CMPDM303NHCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:590pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 3.6A (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23F
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.6A (Ta)
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