CMH04(TE12L,Q,M)
Modelo do Produto:
CMH04(TE12L,Q,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
53314 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
CMH04(TE12L,Q,M).pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:980mV @ 1A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):200V
Embalagem do dispositivo fornecedor:M-FLAT (2.4x3.8)
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):35ns
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOD-128
Outros nomes:CMH04(TE12L,Q)
CMH04(TE12L,Q)-ND
CMH04(TE12LQM)
Temperatura de Operação - Junção:-40°C ~ 150°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Standard
Descrição detalhada:Diode Standard 200V 1A Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8)
Atual - dispersão reversa @ Vr:10µA @ 200V
Atual - rectificada média (Io):1A
Capacitância @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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