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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > BUK9Y9R9-80E,115
BUK9Y9R9-80E,115
BUK9Y9R9-80E,115
Modelo do Produto:
BUK9Y9R9-80E,115
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
MOSFET N-CH 80V LFPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
79040 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
BUK9Y9R9-80E,115.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:LFPAK56, Power-SO8
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:-
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Outros nomes:934067027115
Temperatura de operação:-
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):80V
Descrição detalhada:N-Channel 80V Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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