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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > BST82,215
BST82,215
BST82,215
Modelo do Produto:
BST82,215
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
75861 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
BST82,215.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-236AB (SOT23)
Série:TrenchMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:10 Ohm @ 150mA, 5V
Dissipação de energia (Max):830mW (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:1727-4937-2
568-6229-2
568-6229-2-ND
933733110215
BST82 T/R
BST82 T/R-ND
BST82,215-ND
Temperatura de operação:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:40pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 190mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:190mA (Ta)
Email:[email protected]

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