| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 130µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-SOT89 |
| Série: | SIPMOS® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 12 Ohm @ 190mA, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 1W (Ta) |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | TO-243AA |
| Outros nomes: | BSS192PE6327INCT |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 104pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.1nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 2.8V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 250V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 250V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 190mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
