BSS123LT1
BSS123LT1
Modelo do Produto:
BSS123LT1
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade:
41265 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.BSS123LT1.pdf2.BSS123LT1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.8V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-3 (TO-236)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6 Ohm @ 100mA, 10V
Dissipação de energia (Max):225mW (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:BSS123LT1OSCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:20pF @ 25V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:170mA (Ta)
Email:[email protected]

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