| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - Teste: | 160pF @ 25V |
| Tensão - Breakdown: | PG-SOT223-4 |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 800 mOhm @ 1.17A, 10V |
| Vgs (Max): | 4.5V, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Série: | SIPMOS® |
| Status de RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 1.17A (Ta) |
| Polarização: | TO-261-4, TO-261AA |
| Outros nomes: | BSP315PH6327XTSA1TR SP001058830 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | BSP315PH6327XTSA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 7.8nC @ 10V |
| Tipo de IGBT: | ±20V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 2V @ 160µA |
| Característica FET: | P-Channel |
| Descrição expandida: | P-Channel 60V 1.17A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | - |
| Descrição: | MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 60V |
| Rácio de capacitância: | 1.8W (Ta) |
| Email: | [email protected] |
