| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 160pF @ 25V |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | PG-SOT223-4 |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 800 mOhm @ 1.17A, 10V |
| Vgs (สูงสุด): | 4.5V, 10V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ชุด: | SIPMOS® |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 1.17A (Ta) |
| โพลาไรซ์: | TO-261-4, TO-261AA |
| ชื่ออื่น: | BSP315PH6327XTSA1TR SP001058830 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | BSP315PH6327XTSA1 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 7.8nC @ 10V |
| ประเภท IGBT: | ±20V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 2V @ 160µA |
| คุณสมบัติ FET: | P-Channel |
| ขยายคำอธิบาย: | P-Channel 60V 1.17A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | - |
| ลักษณะ: | MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 60V |
| อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ: | 1.8W (Ta) |
| Email: | [email protected] |
