| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 20µA |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | P-DSO-8 |
| Série: | SIPMOS® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 120 mOhm @ 3A, 10V |
| Power - Max: | 2W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Outros nomes: | BSO612CVINTR SP000012292 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 340pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica FET: | Standard |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição detalhada: | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount P-DSO-8 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 3A, 2A |
| Número da peça base: | BSO612 |
| Email: | [email protected] |
