BSB053N03LP G
BSB053N03LP G
Modelo do Produto:
BSB053N03LP G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
85744 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
BSB053N03LP G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:MG-WDSON-2, CanPAK M™
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.3 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.3W (Ta), 42W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:3-WDSON
Outros nomes:BSB053N03LP G-ND
BSB053N03LPG
SP000597830
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2700pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 17A (Ta), 71A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:17A (Ta), 71A (Tc)
Email:[email protected]

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