| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-92-3 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 830mW (Ta) |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Outros nomes: | BS170OS BS170OS-ND |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 6 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 40pF @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 60V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 500mA (Ta) |
| Número da peça base: | BS170 |
| Email: | [email protected] |
