| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 4.7V |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 4-TSFP |
| Série: | - |
| Power - Max: | 200mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 4-SMD, Flat Leads |
| Outros nomes: | BFP 640FESD H6327 BFP 640FESD H6327-ND BFP640FESDH6327XTSA1TR SP000890034 |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Fator de ruído (dB Typ @ f): | 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ganho: | 8B ~ 30.5dB |
| Frequência - Transição: | 46GHz |
| Descrição detalhada: | RF Transistor NPN 4.7V 50mA 46GHz 200mW Surface Mount 4-TSFP |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 110 @ 30mA, 3V |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 50mA |
| Número da peça base: | BFP640 |
| Email: | [email protected] |
