| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 12V |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 35 micro-X |
| Série: | - |
| Power - Max: | 500mW |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | 4-SMD (35 micro-X) |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Fator de ruído (dB Typ @ f): | 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ganho: | 10dB ~ 18dB |
| Frequência - Transição: | 8GHz |
| Descrição detalhada: | RF Transistor NPN 12V 60mA 8GHz 500mW Surface Mount 35 micro-X |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 30 @ 10mA, 8V |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 60mA |
| Email: | [email protected] |
