APTM50UM19SG
Modelo do Produto:
APTM50UM19SG
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 163A J3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
86600 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
APTM50UM19SG.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 10mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Module
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:19 mOhm @ 81.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):1136W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:J3 Module
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:22400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:492nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição detalhada:N-Channel 500V 163A (Tc) 1136W (Tc) Chassis Mount Module
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:163A (Tc)
Email:[email protected]

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