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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > APTM100A12STG
APTM100A12STG
Modelo do Produto:
APTM100A12STG
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
63201 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
APTM100A12STG.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 10mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:120 mOhm @ 34A, 10V
Power - Max:1250W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SP3
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:17400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:616nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET:Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 68A 1250W Chassis Mount SP3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:68A
Email:[email protected]

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