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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - módulos > APT50GR120JD30
APT50GR120JD30
APT50GR120JD30
Modelo do Produto:
APT50GR120JD30
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
IGBT 1200V 84A 417W SOT227
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
67736 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
APT50GR120JD30.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:3.2V @ 15V, 50A
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-227
Série:-
Power - Max:417W
Caixa / Gabinete:SOT-227-4
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor:No
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce:5.55nF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:NPT
Descrição detalhada:IGBT Module NPT Single 1200V 84A 417W Chassis Mount SOT-227
Atual - Collector Cutoff (Max):1.1mA
Atual - Collector (Ic) (Max):84A
Configuração:Single
Email:[email protected]

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