| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 900V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 400mV @ 250mA, 1A |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-92 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 1W |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Outros nomes: | APT13003NZTR-G1DICT |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 24 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 4MHz |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 1.5A 4MHz 1W Through Hole TO-92 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 5 @ 1A, 2V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | - |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 1.5A |
| Email: | [email protected] |
