AOI1N60L
AOI1N60L
Modelo do Produto:
AOI1N60L
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
55443 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.AOI1N60L.pdf2.AOI1N60L.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-251A
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:9 Ohm @ 650mA, 10V
Dissipação de energia (Max):45W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Outros nomes:785-1536-5
AOI1N60L-ND
Temperatura de operação:-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:160pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 1.3A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.3A (Tc)
Email:[email protected]

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