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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - RF > A2I08H040GNR1
A2I08H040GNR1
A2I08H040GNR1
Modelo do Produto:
A2I08H040GNR1
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
IC RF LDMOS AMP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
55439 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
A2I08H040GNR1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Teste:28V
Tensão - M:65V
Tipo transistor:LDMOS (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-270WBG-15
Série:-
Potência:9W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-270-15 Variant, Gull Wing
Outros nomes:935320823528
Fator de ruído:-
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganho:30.7dB
Freqüência:920MHz
Descrição detalhada:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 25mA 920MHz 30.7dB 9W TO-270WBG-15
Potência nominal:-
Atual - Teste:25mA
Email:[email protected]

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