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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - RF > A2G26H281-04SR3
A2G26H281-04SR3
A2G26H281-04SR3
Modelo do Produto:
A2G26H281-04SR3
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Quantidade:
47641 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
A2G26H281-04SR3.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Teste:48V
Tensão - M:125V
Tipo transistor:LDMOS
Embalagem do dispositivo fornecedor:NI-780S-4L
Série:-
Potência:50W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:NI-780S-4L
Outros nomes:935332873128
Fator de ruído:-
Ganho:14.2dB
Freqüência:2.496GHz ~ 2.69GHz
Descrição detalhada:RF Mosfet LDMOS 48V 150mA 2.496GHz ~ 2.69GHz 14.2dB 50W NI-780S-4L
Potência nominal:-
Atual - Teste:150mA
Email:[email protected]

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