| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.45V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DIRECTFET™ MX |
| Série: | HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 2.7 mOhm @ 27A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | DirectFET™ Isometric MX |
| Outros nomes: | 64-9145TR IRF6620 IRF6620TR IRF6620TR-ND SP001527202 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4130pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 20V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 27A (Ta), 150A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
