| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 20V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 400mV @ 20mA, 500mA |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | NS-B1 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 300mW |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | NS-B1 |
| Outros nomes: | 2SD14500TACT 2SD1450TCT 2SD1450TCT-ND |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequência - Transição: | 200MHz |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 500mA 200MHz 300mW Through Hole NS-B1 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 400 @ 500mA, 2V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 500mA |
| Número da peça base: | 2SD1450 |
| Email: | [email protected] |
