| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 800V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 1.5V @ 40mA, 200mA |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TOP-3F-A1 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 3W |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | TOP-3F |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 4MHz |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 1A 4MHz 3W Through Hole TOP-3F-A1 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 3 @ 500mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 50µA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
