2N7002_NB9G002
Modelo do Produto:
2N7002_NB9G002
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
83644 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.2N7002_NB9G002.pdf2.2N7002_NB9G002.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23 (TO-236AB)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):200mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:50pF @ 25V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:N-Channel 60V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:115mA (Ta)
Número da peça base:2N7002
Email:[email protected]

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