| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 60V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 100µA, 1mA |
| Tipo transistor: | 2 NPN (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-78-6 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 350mW |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | TO-78-6 Metal Can |
| Temperatura de operação: | 200°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Through Hole TO-78-6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 300 @ 1mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 30mA |
| Email: | [email protected] |
