1N8033-GA
1N8033-GA
Modelo do Produto:
1N8033-GA
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição:
DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
84393 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1N8033-GA.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Pico Reversa (Max):Silicon Carbide Schottky
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:4.3A (DC)
Tensão - Breakdown:TO-276
Série:-
Status de RoHS:Tube
Inversa de tempo de recuperação (trr):No Recovery Time > 500mA (Io)
Resistência @ Se, F:274pF @ 1V, 1MHz
Polarização:TO-276AA
Outros nomes:1242-1120
1N8033GA
Temperatura de Operação - Junção:0ns
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Número de peça do fabricante:1N8033-GA
Descrição expandida:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 4.3A (DC) Surface Mount TO-276
configuração de diodo:5µA @ 650V
Descrição:DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
Atual - dispersão reversa @ Vr:1.65V @ 5A
Atual - rectificada média (Io) (por Diode):650V
Capacitância @ Vr, F:-55°C ~ 250°C
Email:[email protected]

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