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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N8033-GA
1N8033-GA
1N8033-GA
Modello di prodotti:
1N8033-GA
fabbricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
84393 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1N8033-GA.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Picco inversa (max):Silicon Carbide Schottky
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:4.3A (DC)
Tensione - Ripartizione:TO-276
Serie:-
Stato RoHS:Tube
Tempo di ripristino inverso (trr):No Recovery Time > 500mA (Io)
Resistenza a If, F:274pF @ 1V, 1MHz
Polarizzazione:TO-276AA
Altri nomi:1242-1120
1N8033GA
Temperatura di funzionamento - Giunzione:0ns
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
codice articolo del costruttore:1N8033-GA
Descrizione espansione:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 4.3A (DC) Surface Mount TO-276
Configurazione diodo:5µA @ 650V
Descrizione:DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
Corrente - Dispersione inversa a Vr:1.65V @ 5A
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo):650V
Capacità a Vr, F:-55°C ~ 250°C
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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